Estudo do Transporte Eletrônico no Semicondutor Arseneto de Gálio Usando a Equação de Newton-Langevin

Clóves Gonçalves Rodrigues, Bruno Martins Miranda

Resumo


Os semicondutores permitem o desenvolvimento de inúmeros dispositivos eletrônicos sendo então o seu estudo de grande relevância científica e tecnológica. Um dos focos de pesquisa e estudos em materiais semicondutores, e que será também realizado nesta pesquisa, é o transporte de carga (corrente elétrica) em materiais semicondutores. Neste artigo analisamos o transporte eletrônico no semicondutor Arseneto de Gálio (GaAs) a partir de uma equação diferencial do tipo Newton-Langevin. Obtivemos duas importantes equações: uma que descreve a velocidade de deriva e uma que descreve o deslocamento do elétron no semicondutor submetido a um campo elétrico constante, sendo os resultados analisados graficamente.

Palavras-chave


Semicondutores; Corrente elétrica; Newton-Langevin.

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Referências


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DOI: http://dx.doi.org/10.18224/arithmos.v1i1.6913

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